IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）是一种高性能的功率半导体器件，由BJT（双极型三极管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）组成的复合全控型电压驱动式器件。它综合了这两种器件的优点，既有MOSFET的高输入阻抗和快速开关能力，又有BJT的低导通压降和较大的载流能力。
IGBT广泛应用于电力电子领域，尤其在轨道交通、智能电网、工业节能、电动汽车和新能源装备等领域发挥着重要作用。其特点包括高效率的快速开关、节能、安装方便、维护方便和散热稳定等。
IGBT的结构和工作原理是，在栅极和发射极之间施加电压时，MOSFET导通，使PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态，从而使得IGBT导通；当栅极和发射极之间的电压为0V时，MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使IGBT截止。IGBT是电压控制型器件，在栅极-发射极间施加十几V的直流电压，漏电流仅为uA级，基本上不消耗功率。
总的来说，IGBT是一种先进的功率半导体器件，因其高效能、小驱动功率和快速开关等优点，在现代电力电子技术中得到了广泛应用。