霍尔效应是指 当电流垂直于外磁场通过半导体时，载流子发生偏转，从而在半导体的两端产生电势差的现象。这个电势差也被称为霍尔电势差。具体来说，当电流通过一个位于磁场中的导体时，磁场会对导体中的电子产生一个垂直于电子运动方向上的作用力，即洛伦兹力。这个力会导致电子在垂直于导体与磁感线的两个方向上偏移，从而在导体两端产生电势差。
霍尔效应的发现可以追溯到1879年，由美国物理学家霍尔（E.H.Hall）在研究金属导电机制时首次发现。这一发现不仅定义了磁场和感应电压之间的关系，而且与传统的电磁感应原理完全不同。
霍尔效应在多个领域具有广泛的应用，包括电磁学、传感器技术等。利用霍尔效应，可以设计制成多种传感器，如电流传感器、位置传感器、速度传感器等。这些传感器在汽车、航空航天、工业自动化等领域发挥着重要作用。
霍尔效应的基本关系式为：
[ U_H = frac{B times I}{n times q times d} ]
其中：
（ U_H ） 是霍尔电压
（ B ） 是垂直于电流的磁感应强度
（ I ） 是通过的电流
（ n ） 是单位体积内载流子的个数
（ q ） 是电子电量
（ d ） 是导体的厚度
通过测量霍尔电压，可以间接测量出磁场的大小和方向，从而实现对各种物理量的传感和测量。