IRFZ24N 是一种N沟道场效应管(MOSFET),通常用于电源管理、电机控制等电路中。以下是它的一些关键参数:
类型:N沟道场效应管
封装:TO-220AB
漏极电流(I D):17 A
漏极和源极电压(V DSS):55 V
漏极和源极通态电阻(R DS(on) ):0.07 Ω
耗散功率(P D):45 W
用途:V-FET/V型槽MOS
材料:N-FET硅N沟道
导电方式:耗尽型
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
IRFZ24N 是一种N沟道场效应管(MOSFET),通常用于电源管理、电机控制等电路中。以下是它的一些关键参数:
类型:N沟道场效应管
封装:TO-220AB
漏极电流(I D):17 A
漏极和源极电压(V DSS):55 V
漏极和源极通态电阻(R DS(on) ):0.07 Ω
耗散功率(P D):45 W
用途:V-FET/V型槽MOS
材料:N-FET硅N沟道
导电方式:耗尽型
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
本文标题:irfz24n是什么管
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