结电容是半导体器件内部的一种寄生电容，它存在于PN结或metal-Oxide-Semiconductor（MOS）结构中，可以用来储存电荷和调节电路的频率响应。结电容可以分为两部分：势垒电容和扩散电容。
势垒电容：与PN结交界处存在的势垒区有关，当PN结两端电压变化时，积累在此区域的电荷数量随之改变，从而显现电容效应。
扩散电容：与PN结中由于载流子扩散形成的内建电场区有关，P区的空穴和N区的电子在电场作用下移动，形成电容。
结电容对器件和电路的工作，尤其是高频电路，有着显著的影响。例如，在二极管中，结电容的大小会影响其表面复合速率和载流子寿命，进而决定二极管的工作温度稳定性。
需要注意的是，结电容与器件的寄生参数相关，它并非器件设计中想要利用的电容，而是由于器件内部结构和物理过程自然形成的。在电路设计中，工程师通常需要考虑结电容的影响，以确保电路性能达到预期