GaAs（砷化镓）是一种化合物半导体材料，属于III-V族化合物半导体，化学式为GaAs。它是一种黑灰色的固体，熔点为1238°C，在600°C以下能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。
GaAs具有六方最密堆积晶体结构，具有高电子迁移率和低噪声特性，因此被广泛用于制造各种微电子器件，如微波集成电路、红外线发光二极管、半导体激光器和太阳电池等。
GaAs的晶格结构为闪锌矿型，晶格常数为5.65×10^-10米，禁带宽度为1.4电子伏。由于其独特的物理和化学性质，GaAs在高温、高频和辐射环境下表现出优越的性能，使其在制造高温聚光太阳电池、微波器件和高速数字电路方面具有重要应用。
GaAs的生产通常采用磊晶技术，如化学气相沉积（MOCVD）和分子束外延（MBE）方法。由于其原材料成本较高，导致GaAs成品IC的成本也相对较高。
需要注意的是，虽然GaAs具有许多优异的物理和化学性质，但其高昂的价格限制了其在某些领域的广泛应用