磁阻效应（magnetoresistance Effects）指的是某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。这一现象是由于载流子在磁场中受到洛伦兹力的作用，导致其运动路径发生偏转，进而影响电阻的大小。磁阻效应可以通过测量电阻率的变化量（ρB - ρ0）与无磁场时电阻率（ρ0）的比值来量化，其中ρB表示有磁场时的电阻率。
磁阻效应可以分为几种类型，包括常磁阻（Ordinary Magnetoresistance, OMR）、正磁阻、负磁阻（如铁磁体中的情况）和各向异性磁阻（Anisotropic Magnetoresistance, AMR）。磁阻效应在半导体中尤为显著，并且与电流所沿的晶向及电流和磁场的相对取向有关。
磁敏电阻是一种利用磁阻效应的电阻元件，通常由对磁场敏感的半导体材料制成，如锑化铟（InSb）或砷化铟（InAs）。磁敏电阻的阻值会随着外加磁场的变化而改变，这一特性可以用来精确地测试磁场的相对位移