场效应管（Field Effect Transistor， 简称FET）是一种 电压控制型半导体器件。它通过输入电压来控制输出电流，而不需要消耗功率。场效应管的工作原理是利用电场效应来控制半导体中电流的流动，因此它也被称为单极型晶体管。与双极型晶体三极管不同，场效应管只依靠一种载流子（通常是电子或空穴）参与导电。
场效应管具有多种优点，包括高输入电阻、低噪声、低功耗、宽安全工作区域、对温度和辐射影响小等。这些特性使得场效应管特别适用于高灵敏度和低噪声的电路。场效应管主要分为两类：结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（MOSFET）。其中，MOSFET由于其优越的性能和广泛的应用，发展迅速，成为场效应管的主流类型。
场效应管的控制端是栅极（Gate），通过改变栅极电压（VGS）可以控制漏极电流（ID）。在恒流区内，漏极电流ID几乎不受漏源电压UDS的影响，而只受栅极电压VGS的控制，这使得场效应管具有放大作用。
总之，场效应管是一种通过电压控制电流流动的半导体器件，具有许多优点，广泛应用于电子电路中。