高K介质指的是 高介电常数（High-k）材料，这些材料具有大于3.9的介电常数。介电常数是衡量材料存储电荷能力的一个参数，高K材料相比于传统的二氧化硅（SiO2），可以在较厚的厚度下实现相同的绝缘性能，从而减少漏电流并提高器件性能。
在电子工程领域，高K介质主要用于集成电路中的栅介质，例如在金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）中。使用高K介质可以显著减少栅介质泄漏电流，增加栅导电能力，并允许在更小的晶体管尺寸下工作，从而支持更高的集成密度和性能。
一些常见的高K介质材料包括氧化铪（HfO2）、氧化锆（ZrO2）、氧化铝（Al2O3）和氧化镁（MgO）等。这些材料在物理和化学性质上具有优异的表现，如高绝缘性、化学惰性、机械稳定性和高温稳定性，使得它们成为替代SiO2的理想选择。
总结来说，高K介质是指那些具有高介电常数的材料，广泛应用于电子工程中的集成电路制造，特别是在需要高可靠性和高性能的场合，如高性能晶体管和先进的微处理器。