MOCVD，全称为 金属有机化学气相沉积（metal-Organic Chemical Vapor Deposition），又可称为金属有机气相外延（metal-Organic Vapor Deposition, MVD）。这是一种利用金属有机化合物作为前驱体，通过热分解反应在衬底上形成薄膜或纳米结构的外延生长技术。
MOCVD技术具有以下特点：
源材料：
主要使用Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料。
反应方式：
通过热分解反应在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。
应用领域：
广泛应用于制造半导体激光器和LED，特别是在制造LED时，MOCVD是生产氮化镓（GaN）及相关材料的关键技术。
设备特点：
通常在常压或低压（10-100Torr）下进行，衬底温度为500-1200℃，使用直流加热石墨基座，H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。
MOCVD设备是LED芯片和功率器件制造的关键工艺技术，具有高精度、高可控性的特点，能够形成具有特定光学和电学特性的覆盖材料。