IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种功率半导体器件，它结合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和双极型晶体管（BJT）的特性。IGBT具有高输入阻抗、低导通压降、高电压和高电流承受能力，因此广泛应用于高功率和高压的电力电子应用领域。它由三个电极组成：栅极（G）、集电极（C）和发射极（E）。IGBT是电压控制型器件，在栅极和发射极之间施加电压时，可以实现高效率的快速开关，适用于多种类型的电子器件中实现脉宽调制（PWM）的复杂波形控制。
IGBT结合了MOSFET的高速性能与双极器件的低电阻于一体，具有高输入阻抗、电压控制功耗低、控制电路简单、耐高压、承受电流大等特点。它在现代电力电子技术中得到了广泛应用，尤其在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。
IGBT的发展经历了多个阶段，包括低功率、U-IGBT（沟槽结构）、NPT-IGBT（非穿通型）、SDB（硅片直接键合）和超快速IGBT等技术的进步。此外，IGBT功率模块也得到发展，采用IC驱动、高性能IGBT芯片和新型封装技术，提高了系统的效率和可靠性。