ITO膜，即 氧化铟锡（Indium Tin Oxide，简称ITO），是一种N型氧化物半导体材料。ITO薄膜是由氧化铟（In₂O₃）和氧化锡（SnO₂）按一定比例混合并沉积在基材上形成的透明导电膜。ITO薄膜具有以下特性：
高导电率：
ITO薄膜具有极低的电阻率，通常在10⁻⁴Ω･cm数量级，接近金属的导电性能。
高透光率：
ITO薄膜在可见光范围内（400至700纳米）具有85%至95%的透光率，对可见光的影响较小，有利于提高显示设备的光效。
高机械硬度和化学稳定性：
ITO薄膜具有较高的机械强度和良好的化学稳定性，适用于各种恶劣环境。
良好的透明性：
ITO薄膜在可见光范围内具有高透光率，同时能阻挡大部分紫外线和红外线，减少对人体有害的电子辐射。
由于这些优异的性能，ITO薄膜被广泛应用于多种电子设备和显示技术中，如液晶显示器（LCD）、等离子显示器（PDP）、电致发光显示器（EL/OLED）、触摸屏（TouchPanel）、太阳能电池以及其他电子仪表的透明电极。
在实际应用中，ITO薄膜可以通过磁控溅射、化学气相沉积（CVD）等方法制备，并且可以通过调整In₂O₃和SnO₂的比例来控制其导电率和透光率。ITO薄膜的方块电阻（R□）是衡量其导电性能的一个重要参数，通常在10Ω/□至1000Ω/□之间，具体数值取决于应用需求。