场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种 利用电场效应来控制半导体中电流的半导体器件。它只依靠一种载流子（多数载流子）参与导电，因此也被称为单极型晶体管。与双极型晶体三极管相比，场效应管具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、功耗小、制造工艺简单和便于集成化等优点。
场效应管主要有两种类型：
结型场效应管（JFET）：
在同一块N型硅片的两侧分别制作掺杂浓度较高的P型区，形成两个对称的PN结，将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极（g），在N型硅片两端各引出一个电极，分别称为源极（s）和漏极（d）。
金属-氧化物半导体场效应管（MOSFET）：
在N型硅片上制作一层绝缘层（通常是二氧化硅），然后在绝缘层上制作金属栅极，通过栅极控制导电沟道的形状，进而控制漏极电流。
场效应管的工作原理是通过在栅极和源极之间施加电压，改变栅极电场，从而控制导电沟道的宽度，进而控制漏极电流的大小。由于场效应管是电压控制型器件，其输入阻抗非常高，适合用于高阻抗电路和放大电路。
场效应管广泛应用于各种电子设备和电路中，特别是在大规模和超大规模集成电路中，由于其低功耗、高性能和易于集成化的特点，已经逐渐取代了许多传统的双极型晶体管。