少子寿命是指 非平衡载流子（如电子和空穴）在半导体材料中从产生到消失（即通过复合过程失去）的平均时间。它是半导体材料和器件的一个重要参数，直接反映了材料的质量和器件特性。少子寿命越长，通常意味着器件的性能越好，因为较长的少子寿命意味着非平衡载流子能够在半导体中停留更长时间，从而有更多的机会参与导电过程。
少子寿命在太阳能电池、双极型半导体器件和光电子器件等应用中尤为重要。例如，在太阳能电池中，少子寿命越短，电池效率通常越低，因为光生载流子的复合速率较快，导致光生电流减少。
影响少子寿命的因素包括半导体中的杂质和缺陷、晶体结构完整性、表面损伤和复合速率等。通过控制这些因素，可以有效地调整少子寿命，从而优化半导体器件的性能。