高温反偏技术是指在 高温、高压条件下，通过改变材料表面的电性能，以实现电子器件性能优化的技术。该技术能够在高温、高压环境下稳定工作，提高电子器件的耐久性和可靠性，并优化其工作效能。高温反偏技术的应用场景包括航空航天、能源、汽车等领域。
高温反偏试验（High Temperature Reverse Bias，简称HTRB）是一种用于评估半导体器件在高温环境下耐受反向偏压能力的重要测试方法。这种测试通常用于分立器件，如MOSFET、IGBT、二极管（DIODE）、双极型晶体管（BJT）、晶闸管（SCR）以及GaN等宽禁带半导体器件。HTRB测试的目的是模拟器件在实际应用中可能遇到的高温和高电压应力，以评估其长期稳定性和可靠性。
高温反向偏压试验是分立器件可靠性最重要的一个试验项目，即在高温时连续供给某一规格反向电压并长期运行，要求被测样品反向漏电流能够稳定于范围值，从而模拟器件在长期运行条件下的耐受能力，推断器件在实际使用时的寿命及应力大小。
AEC-Q101标准试验项目主要参考了军用级、工业级和车用级的标准，其中Group B加速寿命模拟试验中的高温反向偏压（HTRB）试验方法就是军用级标准。该试验旨在消除器件因制造异常产生的缺陷，提高器件的可靠性和寿命。