快恢复二极管（Fast Recovery Diode， 简称FRD）是一种 具有极短反向恢复时间的半导体二极管。它主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。
快恢复二极管的基本工作原理与普通二极管类似，都是利用PN结的单向导电性实现电流整流和导通。然而，通过优化结构或载流子寿命控制等方法，快恢复二极管具有更短的反向恢复时间（Trr）以及更低的反向恢复峰值电流（IRM），从而减少相关的损耗。
快恢复二极管的内部结构为PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。这种结构使得基区很薄，反向恢复电荷很小，因此反向恢复时间较短。快恢复二极管的正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。
快恢复二极管的主要特性包括：
极短的反向恢复时间：
通常在5微秒（μs）以下，甚至可以达到纳秒（ns）级别。
高开关速度：
能够快速地从导通状态切换到截止状态，减少开关损耗和电磁干扰。
高正向压降：
正向压降通常在0.8-1.1V之间。
高反向耐压：
反向耐压值通常在1200V以下。
根据性能的不同，快恢复二极管可分为快速恢复和超快速恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下，甚至达到20-30ns。
快恢复二极管在制造工艺上多采用掺金措施，以获得较高的开关速度和耐压性能。常见的封装规格包括TO-220FP、TO-3P和DO-41等。
总结：
快恢复二极管是一种具有极短反向恢复时间和优异开关性能的半导体二极管，广泛应用于高频开关电路中，如开关电源、PWM脉宽调制器和变频器等，主要作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。