IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种 复合全控型电压驱动式功率半导体器件，它结合了BJT（双极型三极管）和MOSFET（绝缘栅型场效应管）的优点，具有以下特点：
高电压和电流处理能力：
IGBT能够承受较高的电压和电流，适用于大功率应用场合。
高输入阻抗：
IGBT具有非常高的输入阻抗，这意味着在驱动电路中可以使用较低的电压来控制高电流的切换。
低导通压降：
与MOSFET相比，IGBT具有较低的导通压降，这有助于减少功率损耗。
开关速度快：
IGBT的开关速度比MOSFET慢，但比GTR快，适用于需要高开关频率的应用。
低输入电流和低输入损耗：
IGBT作为电压控制装置，没有输入电流，因此输入损耗较低。
栅极驱动电路简单且便宜：
由于IGBT的高输入阻抗，其栅极驱动电路相对简单，且驱动功率小，降低了整体成本。
安全可靠：
IGBT具有高耐压性能，能够承受高电压和大电流的冲击，同时具有较好的热稳定性和安全工作区。
应用广泛：
IGBT广泛应用于电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子、新能源发电、新能源汽车等领域。
综上所述，IGBT是一种在高压、大电流和高频率应用中表现优异的功率半导体器件，具有广泛的应用前景和市场潜力。