IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种绝缘栅双极型晶体管，它结合了BJT（Bipolar Junction Transistor，双极型晶体管）和MOSFET（metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，绝缘栅型场效应晶体管）的优点，形成了一种复合全控型电压驱动式电力电子器件。
在变频器中，IGBT作为核心组件，负责将直流（DC）转换为交流（AC），供给电机使用。IGBT具有以下特点：
高开关频率：IGBT可以实现高速开关，这对变频器的调速性能至关重要。
低导通损耗：IGBT在导通状态下具有较低的压降，降低了能耗。
高耐压：IGBT能够承受较高的电压，适合用于高电压、大电流的应用场合。
变频器中的IGBT模块通常包含IGBT本身、触发电路、电流反馈元件以及可能的反并联二极管。IGBT模块的模块化设计使得维护和更换变得更加方便。
IGBT在现代工业自动化系统中扮演着至关重要的角色，其性能直接关系到变频器的整体性能。然而，IGBT在实际应用中可能会遇到故障，需要工程师们进行高效排查和更换损坏的IGBT，以确保变频器的稳定运行