MOS场效应管，全称为 金属-氧化物-半导体场效应晶体管（metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称MOSFET），是一种常见的半导体器件。它由金属、氧化物和半导体三个主要部分组成，具有三个引脚：栅极（Gate）、源极（Source）和漏极（Drain）。
MOSFET属于场效应管（FET）的一种，利用输入回路的电场效应来控制输出回路的电流。它具有高输入阻抗、低导通电阻、快速开关速度等特点，因此在电子设备中得到了广泛应用。
MOSFET的主要结构包括金属栅极、氧化物绝缘层（通常是二氧化硅SiO₂）和半导体层（通常是硅Si）。其中，栅极与源极、漏极之间通过一层绝缘层隔离，因此也被称为绝缘栅场效应管。
MOSFET的工作原理是通过控制栅极电压来改变半导体表面或内部的电场，从而控制源极和漏极之间的电流。当栅极电压相对于源极达到某一特定值时，会在半导体表面形成导电沟道，允许电流从源极流向漏极。
根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。
此外，还存在一种称为VMOS场效应管（VMOSFET）的功率场效应管，它具有垂直导电性和高耐压性，适用于功率应用。
总的来说，MOSFET是一种重要的半导体器件，广泛应用于各种电子设备中。