IGBT，全称 绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor），是一种高性能的功率半导体器件。它结合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和双极型晶体管（BJT）的特性，具有高电压、大电流处理能力，并且具有自关断的功能。IGBT是电力电子领域中的关键组件，广泛应用于轨道交通、智能电网、工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。
IGBT的主要特点：
复合全控型电压驱动式功率半导体器件：
IGBT结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的大电流驱动能力，通过栅极电压控制器件的通断。
高电压、大电流处理能力：
IGBT能够承受高电压和大电流，适用于高功率应用场合。
自关断功能：
IGBT具有自关断能力，即在栅极电压消失后能够自动切断电流，这一特性使其在节能和高效运行方面表现出色。
节能、安装方便、维护方便、散热稳定：
IGBT在能量转换和传输过程中效率高，且由于结构紧凑，安装和维护较为方便，散热性能也较为稳定。
IGBT的应用领域：
轨道交通：用于电力牵引和控制系统。
智能电网：在电力传输和分配中发挥关键作用。
工业节能：用于电机控制和电源管理，提高能源利用效率。
电动汽车：用于电机驱动和电池管理系统。
新能源装备：如风力发电和太阳能光伏系统中的电力转换。
IGBT的工作原理：
IGBT由BJT和MOSFET组成，其结构上具有MOSFET的输入阻抗较高、驱动电流较小的优点，同时又具备了BJT的大电流驱动能力。在正常工作时，通过在IGBT的栅极和发射极之间施加驱动电压，控制MOSFET的导通和截止，从而控制BJT的导通和截止，实现大功率电力设备的电能变换。
综上所述，IGBT是一种先进的功率半导体器件，因其高效、节能和可靠的特点，在现代电力电子技术中得到了广泛应用。