IRF840是一种 N沟道场效应管(MOSFET),具有以下主要特性和参数:
耐压:
40V。
最大电流:
8A。
应用:
可用于开关电路、功率放大器等。
封装:
TO-220AB。
栅极阈值电压:
10V。
漏源击穿电压:
500V。
导通电阻:
0.85Ω。
功率耗散:
125W。
IRF840适用于高电流和高电压的应用场景,例如功率开关和电源管理电路。在选择场效应管进行代换时,需要注意其参数和引脚排列是否匹配。
IRF840是一种 N沟道场效应管(MOSFET),具有以下主要特性和参数:
40V。
8A。
可用于开关电路、功率放大器等。
TO-220AB。
10V。
500V。
0.85Ω。
125W。
IRF840适用于高电流和高电压的应用场景,例如功率开关和电源管理电路。在选择场效应管进行代换时,需要注意其参数和引脚排列是否匹配。
本文标题:irf840是什么
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