化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，简称CVD）是一种通过化学反应在基质表面生成固态薄膜的技术。其基本原理是将一种或多种含有薄膜元素的气态化合物或单质导入到一个反应室内，在热、等离子体或其他能源的作用下，这些气态物质在气相或气固界面上发生化学反应，形成固态薄膜并沉积到基片表面。
CVD技术广泛应用于半导体工业、材料科学和其他领域，用于沉积各种材料，包括绝缘材料、金属材料和金属合金材料。根据不同的应用需求和工艺条件，CVD可以分为以下几种类型：
常压化学气相沉积（Atmospheric Pressure CVD, APCVD）：
在常压下进行的CVD过程，适用于沉积各种薄膜材料。
低压化学气相沉积（Low Pressure CVD, LPCVD）：
在低压环境下进行的CVD过程，通常具有较好的膜层均匀性和适用性，适用于精密器件制造。
等离子增强化学气相沉积（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD）：
利用等离子体技术增强化学反应，提高沉积速率和膜层质量，适用于高深宽比的薄膜沉积。
金属有机化学气相沉积（metal-Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD）：
使用金属有机化合物作为反应气源，在高温下分解形成薄膜，适用于制备高纯度和复杂结构的薄膜材料。
CVD技术的优势在于其能够实现高纯度、高均匀性和高质量的薄膜沉积，适用于制备各种功能材料，如氧化物、硫化物、氮化物、碳化物以及III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元元素间化合物。此外，CVD技术还可以通过精确控制反应条件和气相掺杂过程，实现对薄膜物理功能的精确调控。
在半导体工业中，CVD技术是制备各种薄膜（如二氧化硅、氮化硅、多晶硅等）的关键技术，对超大规模集成电路（VLSI）和微电子器件的性能和可靠性有着重要影响。