3400通常指的是 AO3400，这是一款由Advanced Monolithic Systems提供的N沟道增强型MOSFET。AO3400的主要参数包括：
漏极电流（ID）
持续漏极电流（ID）为5.8A。
脉冲漏极电流（IDM）为30A。
漏源电压（VDS）
漏源电压（VDS）为30V。
栅源电压（VGS）
栅源电压（VGS）为±12V。
栅极阈值电压（VGS（th））
栅极阈值电压（VGS（th））未在提供的数据中明确给出，但通常在±12V范围内。
静态漏极源导通电阻（RDS（ON））
在SOT-23封装中，RDS（ON）为28mΩ。
功耗（PD）
功耗（PD）为1.4W。
工作温度范围
工作温度范围为-55°C至150°C。
其他特性
AO3400采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作。
AO3400常用于需要高效率和中高电流的应用，例如电源管理、LED驱动、电池保护等。其SOT-23封装使其非常适合于表面贴装技术（SMT）的应用。