IRF840是一种 N沟道场效应管（MOSFET），具有以下主要参数和特性：
耐压：
40V
最大电流：
8A
功率耗散：
125W
漏源击穿电压：
500V
RDS（ON）内阻：
0.85Ω
栅极电压：
10V
开启电压：
2~4V
开启电流：
250μA
跨导：
4.9S
封装形式：
TO-220AB
IRF840适用于开关电路、功率放大器等应用，并且需要栅极端子上有10V电压才能启动传导过程。
建议在实际应用中，根据具体电路需求选择合适的场效应管，并注意场效应管的引脚排列和电路参数的匹配，以确保电路的稳定性和可靠性。