化学气相沉积法（Chemical Vapor Deposition，简称CVD）是一种在基体表面上通过气相化学反应沉积固体薄膜的技术。其基本原理是将蒸发或气体分解的原料气体输送到反应器中，通过加热或其他能量形式（如等离子体激励或光辐射）使其发生化学反应，生成所需的沉积产物并沉积到基体表面。
CVD技术具有以下特点：
反应温度相对较低：
与其他一些沉积技术相比，CVD可以在较低的温度下进行，这有助于减少对基体材料的损害，同时降低能耗。
薄膜成分易于控制：
通过选择不同的气相反应物和反应条件，可以精确控制沉积薄膜的化学成分和性质。
膜厚均匀性好：
CVD工艺可以产生厚度均匀的薄膜，且膜厚与沉积时间成正比。
重复性和台阶覆盖性优良：
CVD工艺在多次沉积过程中能够保持较高的重复性和良好的台阶覆盖性，适合制备复杂结构和精密薄膜。
应用广泛：
CVD技术广泛应用于半导体工业、材料科学、纳米技术等领域，用于制备各种绝缘材料、金属材料和金属合金材料，以及无机薄膜材料。
在半导体工业中，CVD技术尤其重要，用于沉积各种类型的薄膜，如二氧化硅（SiO2）、氮化硅（Si3N4）、碳化硅（SiC）等，这些薄膜在集成电路、器件制造和封装技术中具有关键作用。此外，CVD技术还用于制备耐磨、耐蚀、抗氧化等功能涂层，以及在超大规模集成电路中制备各种薄膜。