PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）是一种利用等离子体增强化学气相沉积技术，在低温条件下通过等离子体激活气体，促进化学反应在基片上沉积出固态薄膜的方法。这种技术允许在较低的温度下进行薄膜沉积，同时保持较高的沉积速率，并且可以精确控制薄膜的属性，适用于多种材料的薄膜制备，如氮化硅、非晶硅、氧化硅等。
PECVD技术的主要特点包括：
低温沉积：可以在较低的温度下进行，有利于保持基片的完整性和性能。
高沉积速率：由于等离子体的活性，化学反应速率快，从而提高了生产效率。
薄膜质量好：可以生产出质量高、性能稳定的薄膜。
应用范围广：可用于制备多种薄膜，包括有机和无机材料。
工艺灵活：可以使用不同的前驱物质，包括传统上被视为惰性的材料。
PECVD技术广泛应用于半导体行业、材料科学和高端制造领域，用于提升产品性能、延长使用寿命、增强表面功能性等