PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）是一种利用等离子体增强化学气相沉积法，在低温条件下通过化学反应在基片上沉积薄膜的技术。它结合了化学气相沉积（CVD）的基本原理与等离子体技术，可以在较低的温度下进行材料沉积，同时提高沉积效率，并允许使用多种前驱物质，包括传统上被视为惰性的材料。
PECVD技术的主要特点包括：
低温沉积：可以在较低的温度下进行，有利于保持基片的完整性和性能。
高沉积速率：由于等离子体的活性，化学反应速率快，从而提高了沉积速率。
薄膜质量好：可以生产出质量较高的薄膜，精确控制薄膜的属性。
应用范围广：可用于制备多种薄膜，如半导体、光学、医疗等领域的薄膜。
PECVD技术因其独特的优势，在半导体工业和其他高科技领域得到了广泛应用