考研半导体物理的考试内容主要包括以下几个方面：
半导体的晶格结构和电子状态
半导体的晶格结构和结合性质的基本概念。
半导体中的电子状态和能带的基本概念。
电子在半导体中的运动规律，包括本征半导体的导电机构和空穴的概念。
有效质量的概念及其应用。
硅和锗的能带结构，以及III-V族和II-VI族化合物半导体的能带结构。
杂质和缺陷能级
替位式杂质、间隙式杂质、施主杂质、施主能级、受主杂质、受主能级的概念。
浅能级杂质电离能的计算。
杂质的补偿作用、深能级杂质的概念。
III-V族化合物中杂质能级的概念。
点缺陷和位错的概念。
载流子的统计分布
状态密度的概念和表示方法。
费米能级和载流子的统计分布。
载流子浓度的计算和特性。
低温载流子冻析效应和禁带变窄效应。
载流子的散射及电导问题
载流子散射的物理机制及其对电导的影响。
电导率的计算公式及其与迁移率和载流子浓度的关系。
强电场下流子的特性及多能谷散射与耿氏效应。
非平衡载流子的产生、复合及其运动规律
非平衡载流子的产生机制及其对半导体性能的影响。
非平衡载流子的复合过程及其动力学。
准平衡与准能级的概念及其应用。
半导体的表面和界面
p-n结、金属半导体接触、半导体表面及MIS结构、异质结的基本原理和特性。
表面和界面的物理现象及其对半导体器件性能的影响。
半导体的光、热、磁、压阻等物理现象
半导体在不同物理场作用下的响应特性。
光电效应、热电子发射、霍尔效应等重要实验技术和方法。
考试形式通常包括选择题、填空题、简答题、论述题等。建议考生对上述内容进行系统复习，掌握基本概念和原理，并能灵活运用所学知识分析和解决问题。同时，建议结合实验和真题进行专题训练，以提高解题能力和应试技巧。